用专业的话来解释，因为铜的电阻率约为1。7纳欧·米，铝的电阻率约为2。8纳欧·米，铜的导电率大大于铝，所以超大规模集成电路里采用铜互连，能够减小互连层的厚度，降低互连层间的分布电容，从而让微理一步提运行频率成为可能。

这方法说白了就是，用来在“萝卜”上刻“”的那把“刀”越来越巧，刀工也越来越明，随之，雕也越来越细致。

自然而然地，本届哲儒季开发者大会的技术金量，不是什么nc联盟大会、java联盟大会能比的。

在这个不断前的过程里，半导行业跟上发展步伐的方法简单暴，即一味寻求缩减集成电路上零件的积，以增加可容纳晶的数量，从而提片的速度。

当然了，万不可能十全十——相比于传统的铝互连，铜互连虽然有低电阻率、较好的抗电迁移能力等等优，但也同时伴随着新的问题。

尔定律——“集成电路片上所集成的电路的数目，每隔18个月就翻一倍”堪称半导工业路线图的准绳。而在过去的30多年的时间里，它也一直百灵百验。

以前，在这方面的手段也很直接暴，即主要是提晶圆尺寸——自1990年代初以来，在哲儒的引领下，半导业界纷纷引200毫米，也就是8英吋晶圆的制造技术。

显而易见，晶圆直径的尺寸增加后，可容纳的晶数量也大幅度提，但让“萝卜变”的品改良过程，所遇到的瓶颈更难突破。

就拿铜互连来讲，这个创意早就有了，但由于实现难度太，业界普遍不看好其前景，结果现在，唐it把它研究明白了。

所谓的铜互连，用个浅显的描述来讲就是，像微理这样的超大规模集成电路里，连接无数个晶的“导线”原来是铝，现在用铜来取代。

不过，这个最直接的方法，也是有极限的——最起码可以预见的是，当制程达到比0。18微米更密的阶段，难度会极度放大。

而铜互连技术的引，相当于在局着手，改善了萝卜的味、提了对雕刀刻画的承受力。

毫无争议的制胜法宝。

与此同时，随着集成电路的密度一步增加，电迁移现象变得无法忽视，而在这方面，铜也比铝有很的优越。盖因，铜的熔约为1084摄氏度，铝的熔约为660摄氏度，铜相对更不容易发生电迁移现象。

在这情况下，半导行业升级除了盯着制程这个外元素的“雕刀”之外，也开始努力在“萝卜”这个内元素上文章。

引用更为的数据就是，铜的导电能力大约比铝40%，从而使得微理的运行频率提大约15%；与此同时，铜比铝更加耐用，也让集成电路不但可以得更小，还能让可靠提大约100倍。

比如，沟槽缺陷、气泡缺陷、金属缺失之类。

所以，半导行业必须改变“放型”的发展模式，转而在“致”上功夫。

包括哲儒的holder、英特尔的pentium、ibm的power、太微系统的sparc、dec的alpha、mips科技的mips等等在内的微理，都在积极采用0。35微米制程，以顺利迈过运行频率100mhz这个极标志意义的门槛。

别人担心额投之下，无法取得回报，唐焕却不会怀疑这个“从0到1”的质变过程——铜互连是必由之路、也是

时至今日，半导工艺的制程——用来给萝卜刻的那把刀，正在普及0。35微米；哲儒即将投0。25微米，并布局0。18微米。

正是诸如此类的多技术难关，业内大多数人认为——虽然片中的传统铝互连，局限非常明显，但铜互连要想取而代之，却是不可能的。